Yeni jenerasyon DDR5 belleklerin geçmiştekilere nazaran çok daha süratli olacağını biliyoruz. Bu suratlar birçok faktöre bağlı olarak değişebilir. Halihazırda birçok şirket de bu mevzu üzerinde çalışmalarını yürütüyor. Geçtiğimiz gün bu bahisle ilgili yeni bir rapor yayınlandı. IT Home tarafından yayınlanan rapora nazaran, Netac Technology isimli Çinli bir bellek firması 10.000 MHz ve üzerinde çalışabilen DDR5 DRAM modülleri üretmeyi planlıyor.
Şirketin bu modeller için Micron’un IFA45 ZPZSB bellek yongalarını kullandığı sav edilmiş. Bu yongalar Micron’un 1z nm DRAM üretim teknolojisi ile inşa ediliyor ve 40-40-40 alt zamanlama mühletleri mevcut. Micron geçen yıl DDR5 belleğinin 6.400 MT/s’ye kadar çıkabildiğini belirtmişti. Artık ise yeni kuşak DDR5’lerin 10.000 MT/s bandına ulaşacak olmasının sahiden büyük bir sıçrama olduğu kabul ediliyor.
Netac, üzerinde çalıştığı DDR5 bellekler konusunda son vakitlerde haberlerde yer alan tek şirket değil. Geçtiğimiz günlerde Samsung da dünyanın birinci 512 GB DDR5 modülünü inşa ettiğini duyurmuştu. Samsung’un inşa ettiği DDR5 modülleri Netac’ın yeni kuşak DDR5 modülleri kadar süratli olmayacak. Çünkü, Samsung’un tasarladığı modüller 7.200 MT/s tepe suratına sahip. Bunun yanında iki şirketin üreteceği modüller ortasındaki temel farklardan biri de kullanım emeli olacak. Samsung, 512 GB’lık modüllerini sunucu ve gibisi yüksek performanslı kurumsal ortamlarda kullanılmak üzere tasarlıyor. Netac ise modüllerini daha çok oyun pazarına uygun formda geliştiriyor.
Son olarak, yeni jenerasyon 10.000 MHz ve üzerinde çalışan DDR5 DRAM modüllerinin ne vakit kullanıcılar tarafından kullanılmaya başlanacağı hakkında bir bilginin bulunmadığını belirtelim.